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Integrated Passive Devices
   
 

Integrated Passive DevicesGCS 已開發出高 Q 值、小型化的被動式積體電路元件,可與 GaAs 功率放大器及開關晶片整合,以進一步縮小手機前端模組的體積並降低成本。此外,亦可透過 IPD 製程提供大型基板貫通孔。

製程特點:
  • 薄膜電阻
  • MIM 電容器
  • 高 Q 值、小型螺旋電感器的厚金屬層
  • 空氣橋接或聚醯亞胺互連選項
  • 被動式積體電路