| 日期 |
記事 |
| 1997年8月 |
GCS USA於美國加州托倫市成立及設廠 |
| 1998年12月 |
成功開發InGaP HBT技術 |
| 1999年7月 |
獲美國IDM大廠簽訂InGaP HBT技術轉移合約 |
| 1999年8月 |
獲日商Compound Semiconductor代工合約 |
| 1999年10月 |
ISO 9001-2000 認證通過 |
| 2000年5月 |
成功開發砷化鎵（GaAs）PIN 光探測器（Photodiode） |
| 2000年6月 |
獲美商Celeritek PHEMT 手機功率放大器量產合約 |
| 2001年4月 |
成功開發高壓InGaP HBT 技術 |
| 2001年8月 |
成功開發磷化銦HBT技術 |
| 2001年12月 |
成功開發InGaAs PIN 光探測器（Photodiode） |
| 2002年1月 |
獲日商WCDMA 手機功率放大器認證成功 |
| 2003年4月 |
開始量產無線射頻0.5 微米PHEMT Switch（開關） |
| 2003年7月 |
開始提供光電元件晶圓代工業務 |
| 2004年3月 |
成功地開發世界最快速磷化銦HBT技術（Ft > 300 GHz），適用於光通訊40-100G Trans-impedance
Amplifier（TIA）和高速測試儀器IC |
| 2004年6月 |
獲美國IDM大廠GSM手機功率放大器認證成功 |
| 2005年6月 |
聘請Mr. Jerry Curtis為總經理及執行長 |
| 2006年1月 |
獲美商IDM廠 WJ
Communication多樣砷化鎵技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工合約 |
| 2006年10月 |
獲得美商IDM廠光電技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工 |
| 2006年12月 |
獲加拿大光電元件商光電技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工合約 |
| 2007年1月 |
成功轉移WJ Communication多樣砷化鎵技術和產品 |
| 2007年6月 |
轉移砷化鎵無線射頻技術和客戶產品至宏捷半導體公司 |
| 2007年7月 |
開始量產WJ Communication多樣產品 |
| 2008年3月 |
獲日商光電技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工合約 |
| 2008年6月 |
開始美國氮化鎵（GaN）廠商代工業務 |
| 2008年7月 |
簽訂APD開發合約 |
| 2008年8月 |
開始砷化鎵聚光型太陽能電池晶圓代工業務 |
| 2009年10月 |
獲美國IDM廠射頻功率（RF Power）氮化鎵（GaN）技術和產品轉移計畫，並簽訂長期晶圓代工合約 |
| 2010年11月 |
獲世界級矽晶圓代工廠簽訂多項砷化鎵（InGaP HBT and PHEMT）技術轉移合約 |
| 2010年11月 |
集團控股公司GCS Holdings, Inc.設立於英屬開曼群島 |
| 2010年12月 |
GCS
Holdings, Inc.與GCS USA進行換股，集團重組完成後，GCS
Holdings, Inc.之股本為新臺幣306,946仟元 |
| 2011年2月 |
獲得國際IDM大廠氮化鎵GaN研發計畫 |
| 2011年2月 |
簽訂VCSEL開發合約 |
| 2011年7月 |
獲美商氮化矽（SiC）高功率元件晶圓代工 |
| 2011年8月 |
成功轉移多項砷化鎵（InGaP HBT and PHEMT）技術至世界級矽晶圓代工廠 |
| 2011年10月 |
獲美商氮化鎵（GaN/Si）高功率射頻元件認證成功 |
| 2011年11月 |
獲美商Nitronex簽訂長期晶圓代工合約 |
| 2012年2月 |
獲得獲得國際IDM大廠衛星通訊電子用HBT代工訂單 |
