网站地图
|
English
/
繁中
/
简中
公司简介
质量政策声明
环宇沿革
业务联系
专业技术
专业技术总览
GaAs & GaN RF Technologies
VCO InGaP HBT
GaAs PHEMT
0.5um D-Mode T-Gate PHEMT
0.5um Switch PHEMT
0.5um E/D-mode PHEMT
0.25um D-Mode T-Gate PHEMT Power Process
HFET
GaN HEMT
Integrated Passive Devices
THz Schottky Diode
InP HBT Technologies
GaN Power Electronics Technologies
GaN Technologies
Optoelectronics Technologies
晶圆制造服务
GaAs & GaN RF Wafer Foundry
InP HBT Wafer Foundry
OPTOELECTRONICS Wafer Foundry
Customer Proprietary Process Manufacturing
Manufacturing Capabilities
Processing Capabilities
Testing Capabilities
Foundry Support
Foundry Support Flow
MPW Support
Process Design Kit
CAD Tools and Support
Testing Services
Foundry Training
Foundry Partners
砷化镓及砷化铟镓光探测器与光探测器阵列
雪崩光电二极管
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片及晶片阵列
业务代表
财务资讯
每月营业额报告
每季营业额报告
历年财务报表
公司年报
股东服务
股价查询
联络人
法说会
台湾证券交易所公开资讯观测站 (MOPS)
公司治理
董事会
审计及薪酬委员会
专业晶圆制造服务
专业晶圆制造服务
专业技术
专业技术总览
GaAs & GaN RF Technologies
GaAs PHEMT
GaN HEMT
Integrated Passive Devices
THz Schottky Diode
InP HBT Technologies
GaN Power Electronics Technologies
Optoelectronics Technologies
晶圆制造服务
首页 > 专业晶圆制造服务 > 专业技术 > GaAs & GaN RF Technologies > Integrated Passive Devices
Integrated Passive Devices
GCS 已开发出高 Q 值、小型化的无源集成电路元件,可与砷化镓功率放大器和开关芯片集成,从而进一步缩小手机前端模块的尺寸并降低成本。此外,还可通过 IPD 工艺实现大尺寸贯穿基板过孔。
工艺特点:
薄膜电阻器
MIM电容器
用于高Q值、紧凑型螺旋电感器的厚金属层
空气桥或聚酰亚胺互连选项
无源集成电路