网站地图 | English / 繁中 / 简中
   
  专业晶圆制造服务
 
专业晶圆制造服务
专业技术
专业技术总览
GaAs & GaN RF Technologies
GaAs PHEMT
GaN HEMT
Integrated Passive Devices
THz Schottky Diode
InP HBT Technologies
GaN Power Electronics Technologies
Optoelectronics Technologies
晶圆制造服务
  首页 > 专业晶圆制造服务 > 专业技术 > GaAs & GaN RF Technologies > Integrated Passive Devices
 
Integrated Passive Devices
   
 

Integrated Passive DevicesGCS 已开发出高 Q 值、小型化的无源集成电路元件,可与砷化镓功率放大器和开关芯片集成,从而进一步缩小手机前端模块的尺寸并降低成本。此外,还可通过 IPD 工艺实现大尺寸贯穿基板过孔。

工艺特点:
  • 薄膜电阻器
  • MIM电容器
  • 用于高Q值、紧凑型螺旋电感器的厚金属层
  • 空气桥或聚酰亚胺互连选项
  • 无源集成电路